APW8879A 电子元器件 ANPEC/茂达 封装TQFN2x3-12

　　高输入电压3.36V / 8A同步降压变换器100mA LDO

　　一般的描述

　　APW8879A是一款8A同步降压转换器，集成25mΩ高侧MOSFET和12mΩ低侧MOSFET。采用恒定准时控制架构设计的APW8879A可以降低高电压，以适应IMPV8应用的低压芯片组。APW8879A配备了自动PFM/PWM模式操作。在轻负载时，转换器在PFM模式下工作，以减少开关损耗并提供高效率。在大负荷下，转换器工作在PWM模式，并在接近恒定的频率下工作，以实现低噪声要求。

　　APW8879A还配备了通电复位，软启动，软停止和整体保护(欠压，过压，过温，过流和限流)为一个单一的封装。

　　带有250kHz时钟驱动器的充电泵电路使用VOUT作为电源，产生大约10~12V的直流电压。

　　该器件采用TQFN 2x3-12封装，提供了一个非常紧凑的系统解决方案，最大限度地减少外部组件和PCB面积。

　　特性

　　工作范围宽，从+5.5V到+24V输入

　　电压

　　VIN 4.5V ~ 4.9V上电复位监测

　　范围

　　内置100uA低静止电流

　　支持IOUT = 8A应用

　　内置PWM和PFM控制方案与COT

　　achitecture

　　内置集成引导向前P-CH

　　场效应晶体管

　　固定开关频率从700khz

　　固定3.36V VOUT REF电压+0.6%

　　精度

　　支持EN引脚超声波模式选择

　　支持内置固定软启动时间2.4ms

　　集成25mΩ n通道MOSFET高

　　边金属氧化物半导体

　　集成12mΩ n通道MOSFET低侧

　　金属氧化物半导体

　　内置开漏式POK功能和EN

　　控制

　　内置3.36V / 100mA LDO和切换

　　带PWM输出的MOSFET

　　UVP设置为VREF的70%，OVP设置为125%

　　VREF和热停堆

　　内置过流保护和电流限制

　　使用高侧MOSFET RDS(on)和保护

　　低侧MOSFET RDS(on)传感

　　TQFN 2x3-12P倒装芯片，无铅和RoHS

　　兼容的

　　应用程序

　　笔记本

　　图形卡

　　主板