APW8868C 集成电路(IC) ANPEC/茂达 封装TQFN3x3-20

　　Ddr2和ddr3 / ddr3l同步降压控制器1.5a ldo支持低智商

　　一般的描述

　　APW8868C集成了同步降压PWM控制器产生VDDQ，源沉LDO线性调节器产生VTT。它提供了最低的总解决方案成本，在系统的空间是一个溢价。

　　APW8868C在PFM或PWM模式下提供出色的瞬态响应和准确的直流电压输出。在脉冲频率模式(PFM)， APW8868C提供非常高的效率在轻到重负载负载调制开关频率。在TQFN-20封装上，强制PWM模式几乎在恒定频率下工作，以满足低噪声要求。

　　APW8868C配有精确的限流、输出欠压和输出过压保护。上电-复位功能监控VCC上的电压，防止上电过程中的错误操作。

　　LDO的设计目的是为DDR-SDRAM终端提供具有双向输出电流的稳压电压。该器件集成了两个功率晶体管，以源电流或汇聚电流高达1.5A。它还集成了限流和热停机保护。

　　LDO的输出电压跟踪VREF引脚的电压。内部电阻分压器用于为VTTREF和VTT voltage提供VREF的一半电压。VTT的输出电压只需要20mF的陶瓷输出电容来稳定和快速的瞬态响应。S3和S5引脚为VTT (S3状态)提供睡眠状态，为设备提供挂起状态(S4/S5状态)，当S5和S3都被拉低时，设备为VTT和VTTREF提供软关。

　　特性

　　Buck控制器(VDDQ)

　　高输入电压3V ~ 28V输入

　　权力

　　提供可调输出电压0.75V到

　　5.5V±1%精度超过温度

　　集成MOSFET驱动器和引导向前P-CH MOSFET

　　低静止电流(200mA)

　　优秀的线路和负载瞬态响应

　　PFM模式增加轻载效率

　　恒准时控制器方案

　　- PWM开关频率补偿

　　模式

　　-可调开关频率从400kHz到

　　550kHz PWM模式，直流输出电流

　　S3和S5引脚控制S0、S3或S4/中的设备

　　S5状态

　　电力良好监测

　　70%欠压保护(UVP)

　　125%过电压保护(OVP)

　　可调限流保护

　　-使用低侧MOSFET的RDS(ON)

　　TQFN-20 3mmx3mm薄封装

　　无铅产品(符合RoHS标准)

　　±1.5A LDO切片(VTT)

　　源电流或下沉电流可达1.5A

　　输出电压的快速瞬态响应

　　输出陶瓷电容至少支持10mF

　　MLCC

　　VTT和VTTREF跟踪在一半的VDDQSNS

　　内部的分频器

　　±20mV精度的VTT和VTTREF

　　独立过电流限制(OCL)

　　热停机保护

　　应用程序

　　DDR2和DDR3/DDR3L内存电源

　　SSTL-2 SSTL-18和HSTL终止