详细说明
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产品参数
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类型:集成多种快速充电协议芯片
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品牌:SOUTHCHIP(南芯)
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型号:SC2012CQDKR
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封装:QFN3x3-20
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批号:22+
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产地:中国
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包装:3000
南芯SC2012 QFN-20集成多种快速充电协议的USB-PD Sink控制器
SC2012C是一个高度集成的PD控制器。它符合最新的USB Type-C和PD 3.0标准,并支持市场上主流的高压快速充电协议的DPDM接口,SC2012C适用于不同类型的移动设备。SC2012C的额定电压为30V,并且不需要外部LDO。SC2012C内部集成USB PD PHY、Type-C检测、电压电流检测、10-bit ADC、PWM输出为VBUS调节、NMOS门驱动、VBUS放电路径、I2C接口和保护电路,使得外部组件最小化。SC2012C内部集成32 bit高性能嵌入式微控制器和32-KB OTP为许多应用提供了高度灵活和经济有效的解决方案SC2012C支持过压保护、欠压保护、过载电流保护、短路保护、过温保护、DP/DM引脚过压保护、CC引脚过压保护等多种保护机制,有效保证了系统稳定可靠运行。SC2012C采用QFN 20-pin封装。
功能
USB Type-C
支持Type-C接收协议
支持死电池Rd
USB功率传输
支持USB PD 3.0
支持Data Role Swap(数据角色切换)
BMC硬件收发器
全功能PD物理层
硬件CRC
硬件重置
集成PD 3.0协议引擎
支持SOP’兼容电子标签线缆
DPDM快充接口
硬件控制DPDM接口
支持苹果充电,BC1.2, DCP, HVDCP, FC, AFC, FCP, SCP, VOOC, UART 和其他专有充电协议
电源
宽工作范围:2.7V至24.5V(可耐受30V)
MCU子系统
集成32-bit MCU核
32-KB OTP和1-KB RAM
支持I2C接口和多个I/O
模拟模块
PWM电压调节
多达8通道10-bit ADC监控电压、电流和外部信号
集成电流检测放大器
集成NMOS栅驱动器
在隔离MOS两端集成了VBUS放电路径
内置NPN型晶体管驱动VCC监管
保护机制
在芯片 OVP, OCP, SCP, UVP和OTP
CC/DPDM到VBUS的短路保护
CC/DPDM到GND的短路保护
封装
32-pin QFN 3mm x 3mm x 0.75mm
应用
移动设备
无线充电TX设备
其他快充设备