CMS79F123增强型闪存8位CMOS单片机

　　功能特性

　　内存

　　ROM: 4KX 16Bit

　　通用RAM: 344 X 8Bit

　　8级堆栈缓存器

　　简洁实用的指令系统(68 条指令)

　　指令周期(单指令或双指令)

　　查表功能

　　内置低压侦测电路

　　内置WDT定时器

　　中断源

　　3个定时中断

　　RA口电平变化中断

　　RB口电平变化中断

　　其它外设中断

　　定时器

　　8位定时器TIMERO，TIMER2

　　16位定时器TIMER1

　　内置 硬件除法器模块

　　24位被除数和12位除数

　　内置LVD 模块

　　支持多种电压2 2V/2.4V/2.7V/3.0V/

　　3.3V/3.7V/4.0V/4.3V

　　内置 128字节程序EEPROM

　　可重复烧写1万次

　　工作电压范围: 2.6V- -5.5V@16MHz

　　1.8V- -5 5V@8MHz

　　工作温度范围: 40°C- -85°C

　　两种振荡方式

　　内部RC振荡:设计频率8MHz/16MHz

　　外部高速晶振:设计频率8MHz

　　带互补输出的 PWM模块

　　5路PWM，可设置成2路互补输出

　　4路PWM共用周期，独立占空比

　　1路PWM独立周期，独立占空比

　　运算放大器: 2路

　　失调电压<2mv

　　可作为比较器使用

　　内置1 路USART通信模块

　　支持同步主从模式和异步全双工模式

　　- 可配置在 RB4/RB5或RA6/RA7

　　高精度12位ADC

　　内建高精度1.2V基准电压

　　+1.5% @VDD=2 5V~5.5V Ta=25°C

　　+2% @VDD=2.5V~5.5V TA= 40*C~85°C

　　可选择内部参考源: 2V/2 .4V