东沅N沟道MOSFET采用创新半导体技术打造，专为现代电子设备的高效供电需求设计。通过先进沟槽MOS技术突破传统性能瓶颈，为便携式设备及工业级电路提供更智能的功率管理方案。

　　▶ 核心技术优势

　　创新沟槽工艺架构:采用纳米级深沟槽蚀刻技术，实现超低导通电阻（RDS(on)）特性，功率密度较传统MOSFET提升40%，显著降低工作温升。

　　军工级可靠保障:全系产品通过100%雪崩能量(EAS)测试，可承受极端浪涌电流冲击，提供高额定电流的过载保护能力。

　　纳秒级响应速度:优化栅极电容设计，高切换频率，支持高频PWM调制，特别适配LLC谐振等先进拓扑电路。

　　环保节能设计:符合RoHS环保标准，无铅化封装工艺，支持绿色能源系统构建。

　　▶ 典型应用场景

　　超薄笔记本电源模块；

　　智能穿戴设备快充电路；

　　无人机动力管理系统；

　　高频开关电源(SMPS)；

　　新能源车DC-DC转换器。

　　► 技术支持与订购

　　科瑞芯电子提供批量采购优惠及定制化技术支持，助力产品快速落地。

　　科瑞芯电子秉持【追求品质、专业诚信、持续创新】的理念，为客户提供工业标品质、低成本的半导体件，提供专业技术支援及完整的解决方案。持续追求、不断创新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。