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作用:隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路、能量转换控制电路等方面。好坏判别:两短路放电后,用万用表电阻挡测,表针摆出后能返回到原处为好;表针摆出后不返回为短路;表针摆出后返回不到原处为好漏电;表针不摆出为开路;短路、开路、漏电严重为损坏。对于小电容,测量表针不摆动,再用串联“电笔法”或“交流信号法” 判定好坏,电容器构造:由两片金属膜紧靠引出脚,中间用缘介质材料隔开而组成的元件。
电感的基本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器,普通熔断器,热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的,它在电路中出现过电流,过电压或过热等异常现象时,会立即熔断而起到保护作用,可防止故障进一步扩大。
单向可控硅 代号:BCR是一种半导体元器件又称晶体闸流管,单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二管相比,单向可控硅正向导通受控制电流控制;可控硅对控制电流没有放大作用。作用:整流、稳压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测、AG正反向阻值均为∞,测GK正向阻值3—9K,反向阻值∞为好管。电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测GK,正向阻值3—9K时,黑表笔接的一端为G(控制),红表笔接的一端为K(阴),另一端为A(阳)。