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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一,成为一个电阻Re,如图(c)所示,则在差模信号作用下Re中的电流变化为零,即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路),因此大大提高了对差模信号的放大能力.
晶体二管(crystaldiode)固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展,利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构,研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二管。
指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子,对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等),所以又称有源器件。按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。金属膜电阻,它是在真空中将合金加热蒸发,在瓷棒表面形成一层导电金属膜而形成的,所以叫做金属膜电阻,我们在金属膜上刻槽,或改变其厚度,就可以控制它的阻值。它的阻值的大小以环的形式被标记在电阻体上。