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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　常用晶体三管的封装形式有金属封装和塑料封装2大类，引脚的排列方式具有一定的规律。晶体三管的三个，分别称为基（b)、集电（c）和发射（e），发射上的箭头表示流过三管的电流方向。集成电路是将二管、三管和电阻电容等元件按照电路结构的要求，制作在一小块半导体材料上，形成一个完整的具有一定功能的电路，然后封装而成，它的文字符号是ic。集成电路是60年代后期，随着电子技术的发展而迅速发展起来的。使用集成电路和使用分立元件组装的电路相比，具有元件少、重量轻、体积小、性能好和省电等多项优点，所以电子产品的集成化已成为电子技术发展的趋向。

　　共集电放大电路:电流放大增益大，电压放大增益小;输入阻抗高输出阻抗低，可用作阻抗匹配电路。偏 置 放 大 电 路放大电路具有放大和反相的作用，而静态工作点的设置对放大电路的正常工作又具有其重要的影响，可调节上偏置电阻Rb2来改变静态工作点。RL---负载电阻;Vcc---工作电源;Vi---输入信号;Vo---输出信号;BG----放大管起放大作用。Rb2---上偏置电阻;作用是为放大管BG的基提供偏置电源，调节Rb2可以改变静态工作点。

　　直标法:容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如2200uf/10v字母表示法:152m=1500pf数字表示法:一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如:102表示10×102pf=1000pf允许误差分三级，同于电阻器误差的表示方法。微调电容器和可变电容器标出了它的电容量的小值和大值，如7／270p电感线圈是将缘的导线在缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。