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Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时,基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电,阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。
晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管(简称三管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 (108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。