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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　三相电功率:三相交流电的功率等于各相功率之和。在对称负载的情形下，各相的电压均为Uφ、相电流Iφ以及功率因数cosφ都相等。因此三相电路的平均功率可写为:P =3UφIφcos。负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为:伏特V。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。

　　电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

　　电流---用“I”表示。电流有两个含义:，电流表示一种物理现象，即电荷有规则的运动就形成电流。第二，电流的大小用电流强度来表示，而电流强度是指在单位时间内通过导体截面积的电荷量，单位是安培(库/秒)，简称安，用大写字母A表示。但电流强度平时人们多简称电流。所以电流又代表一个物理量，这是电流的第二个含义。常用单位:1A安=1000mA毫安电压---用“U”表示。电压就是电场中某点到参考点之间的电位差。在电工领域，通常选电 路里的接地点为参考点。在电子电路里，常取机壳为参考点。单位:V(伏特)