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　　晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。

　　电容器是电子设备中大量使用的元件之一，它具有隔直流和分离各种频率的能力，广泛用于隔直流，耦合，旁路，滤波，去耦，移相，谐振回路调谐，波形变换（微分，积分），能量转换，控制电路中的时间常数设定等。

　　晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有:毫法（mF）、 微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。