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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　测器件厚度和看器件边沿不少原激光印字的打磨翻新片（功率器件居多）因要去除原标记，打磨较深，如此器件的整体厚度会明显小于正常尺寸，但不对比或用卡尺测量，一般经验不足的人还是很难分辨的，但有一变通识破法，即看器件正面边沿。因塑封器件注塑成型后须"脱模"，故器件边沿角呈圆形（r角），但尺寸不大，打磨加工时很容易将此圆角磨成直角，故器件正面边沿一旦是直角的，可以判断为打磨货。除此之外，再有一法就是看商家是否有大量的原外包装物，包括标识内外一致的纸盒、防静电塑胶袋等，实际辨别中应多法齐用，有一处存在问题则可认定器件的货质。

　　发光二管:它是半导体二管的一种，可以把电能转化成光能;代号LED;也具有单向导电性，反向击穿电压约5伏，使用时串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算: R=(E-UF)/IF 式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的一般工作电流。LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，消耗能量较同光效的白炽灯减少80%;使用10万小时后，光衰为初始的50%。

　　作用:二管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。识别方法:二管的识别很简单，小功率二管的N（负），在二管外表大多采用一种圈标出来，有些二管也用二管符号来表示P（正） 或N（负），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。测试注意事项:用数字式万用表去测二管时，红表笔接二管的正，黑表笔接二管的负，此时测得的阻值才是二管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。