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　　电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率，c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有:毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法

　　在实际电路中，负载上的电压Ufz≈3x1.2E2整流二管D3所承妥的高反向电压也是 电容器上的直流电压为 。照这样办法，增加多个二管和相同数量的电容器，既可以组成多倍压整流电路，见图三倍压整流电路。当n为奇数时，输出电压从上端取出:当n为偶数时，输出电压从下端取出。说明，倍压整流电路只能在负载较轻(即Rfz较大。输出电流较小)的情况下工作，否则输出电压会降低。倍压越高的整疏电路，这种因负载电流增大影响输出电压下降的情况越明显。

　　半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。

　　场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。