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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　电位器:是阻值可以调整的电阻器，用“W或RP”表示;有旋转式、直滑式、带开关式;用万用表电阻挡测旁边两脚得实际阻值，分别测中间脚与旁边两脚，均匀调动转轴，表针均匀摆动无跳动为好;按“左入右地中间出” 接线;接触不良用无水酒精清洗即可。电容器 代号:C电容器是一种容纳贮存电荷的器件，简称电容。电路中一般用“C”加数字表示。分无和有两类，有新电容长脚为正、短脚为负。特性:隔直流电通交流电。

　　三相电功率:三相交流电的功率等于各相功率之和。在对称负载的情形下，各相的电压均为Uφ、相电流Iφ以及功率因数cosφ都相等。因此三相电路的平均功率可写为:P =3UφIφcos。负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为:伏特V。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。

　　作用:二管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。识别方法:二管的识别很简单，小功率二管的N（负），在二管外表大多采用一种圈标出来，有些二管也用二管符号来表示P（正） 或N（负），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。测试注意事项:用数字式万用表去测二管时，红表笔接二管的正，黑表笔接二管的负，此时测得的阻值才是二管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。