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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　光电二管:和普通二管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。双向触发二管:具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护定时、移相、调速、调光等用途。测量双向触发二管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二管已击穿损坏。

　　场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。传感器(Sensor)是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成。

　　二管的主要特性是单向导电，即在正向电压作用下导通电阻很小，而在反向电压作用下导通电阻是大或无限大的。由于上述特性，二管常用于无绳电话的整流、隔离、稳压、性保护、编码控制、调频降噪等电路中。用数字万用表测量二管时，红表笔连接二管的正和黑表笔连接二管的负是二管的正导通电阻，与指针万用表的表笔连接方法正好相反。齐纳二管，这种二管是一种半导体器件，具有高电阻，直到临界反向击穿电压。齐纳二管的特点是击穿后，齐纳二管两端的电压基本不变。当稳压器连接到电路时，如果电源的电压发生波动，或者其他原因导致电路中各点的电压发生变化，则负载两端的电压将基本保持不变。