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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　集成电路（ic integrated circuit）是一种把一类电路中所需的晶体管、阻容感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，封装为一整体，具有电路功能的电子元器件。分立元器件就是指普通的电阻、电容、晶体管等单个电子元件，统称分立元件。分立元件就是功能单一、“小”的元件，内部有其它元件功能单元。电路类元件与连接类元件区分电子系统中的无源器件可以按照所担当的电路功能常分为电路类器件、连接类器件。

　　晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。

　　Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时，基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电，阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。