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　　晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。

　　电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测，正向阻值3—9K时，黑表笔接的一端为正，相反一端为负。“小黑正”(注:从外观上看标有黑或白的一端为负)。二管特性:单向导电(电流只能从正流向负，反向不导电)。二管符号:稳压二管:起稳压作用;稳压管的负接正电压，正接负电压(和普通的二管接法相反)，当加在稳压二管的反向电压增加到大于稳压值时，稳压管就导通，形成一个反向电流，把负电压限制在稳压值上。

　　电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。

　　放大能力测量:用万用表R×10KΩ挡;PNP管红表笔接C，黑表笔接E;NPN管黑表笔接C，红表笔接E;用手指接通B与C时，表针摆动幅度越大说明该项管放大能力越好。表针无摆动为无放大能力已损坏。 符号:三管的三种工作状态放大状态:三管的BE加正向电压时，在正偏状态(BE之间电压为0.5-0.7V)这时集电与发射之间的电流大小受基控制，三管处于放大(导通)状态。饱和(导通)状态:三管的BE加正向电压时，在超正偏状态(BE之间电压大于0.7V以上)这时集电与发射之间的电阻很小，就像开关闭合一样，三管处于饱和(导通)状态。