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　　当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。

　　Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时，基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电，阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。

　　半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。

　　无功功率----在具有电感和电容的电路里，这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场(或电场)的能量存起来，在另半周期的时间里对已存的磁场(或电场)能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换，并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示。在交流电路中，电流、电压的有效值与它们的相位差φ的正弦的乘积叫做无功功率，即Q = Iusinφ功率因数----在直流电路里，电压乘电流就是有功功率。但在交流电路里，电压乘电流是视在功率，而能起到作功的一部分功率(即有功功率)将小于视在功率。有功功率与视在功率之比叫做功率因数，以COSφ表示。是反映电能利用率大小的物理量。