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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　凡光亮如"新"的镀锡引脚必为翻新货，正货ic的引脚大多数应是所谓"银粉脚"，泽较暗但成均匀，表面不应有氧化痕迹或"助焊剂"，另外dip等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有（再次包装才会有）擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。看器件生产日期和封装厂标号正货的标号包括芯片底面的标号应一致且生产时间与器件品相相符，而未remark的翻新片标号混乱，生产时间不一。remark的芯片虽然正面标号等一致，但有时数值不合常理（如标什么"吉利数"）或生产日期与器件品相不符，器件底面的标号若很混乱也说明器件是remark的。

　　工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。

　　作用:放大(电压电流)、稳压、开关、振荡等作用。基判别:用万用表R×1KΩ挡一支表笔固定某一，另一支表笔去测另外两，测量得两次阻值都比较小(3—9K)时，固定表笔接的脚就是基;型号判别:根据测量得基时固定表笔的颜，若测量得基时固定表笔的颜为红表笔，则该管为PNP型;若测量得基时固定表笔的颜为黑表笔，则该管为NPN型。发射判别:用万用表R×10KΩ挡对换表笔去测另外两，以测量得次阻值小的一次为准(30K以上);PNP型管红表笔接的脚就是E“小红发”;NPN型管黑表笔接的脚就是E“小黑发”;另一管脚为C。