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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　电阻的标位子与倍率相干以下表所示:颜 有效数字 倍率 同意瑕疵(%)银 / x0.01 ±10金 / x0.1 ±5玄 0 +0 /棕 1 x10 ±1血 2 x100 ±2橙 3 x1000 /黄 4 x10000 /绿 5 x100000 ±0.5蓝 6 x1000000 ±0.2紫 7 x10000000 ±0.1灰 8 x100000000 /皎白 9 x1000000000 / 。

　　变容二管，也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器（势垒电容器）及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管，是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话，低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下，变容二管调制电压通常施加到负电，使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障，主要表现为漏电或性能不佳:（1）发生漏电时，高频调制电路不工作或调制性能恶化。 （2）当变容二管性能恶化时，高频调制电路的操作不稳定，并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时，应更换相同类型的变容二管。

　　单 双 向 可 控 硅 形 状:三管:代号: BG 或Q、V、T;是一种电流控制型器件半导体元器件，又称晶体管;它由两个PN结构成，有三个电，分别称基(B)称集电称(C)发射(E);按导电类型分有PNP型和NPN型两种管;按功率分有大、中、小功率三种管;按用途分有高、低频两种管;晶体三管的电流放大系数随温度升高而增大，在实际电路中，主要应用了放大电路和开关电路，是一种小电流控制大电流的放大元件。