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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用,为交流信号提供通路,并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地,产生交流负反馈作用,降低了BG的增益。
无功功率----在具有电感和电容的电路里,这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场(或电场)的能量存起来,在另半周期的时间里对已存的磁场(或电场)能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换,并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示。在交流电路中,电流、电压的有效值与它们的相位差φ的正弦的乘积叫做无功功率,即Q = Iusinφ功率因数----在直流电路里,电压乘电流就是有功功率。但在交流电路里,电压乘电流是视在功率,而能起到作功的一部分功率(即有功功率)将小于视在功率。有功功率与视在功率之比叫做功率因数,以COSφ表示。是反映电能利用率大小的物理量。
电阻元件的电阻值一般与温度有关。测量温度影响的物理量是温度系数,它被定义为电阻值随温度升高1℃而变化的百分比。电阻器由“R”加上电路中的数字表示。例如,R1表示编号为1的电阻。电路中电阻的主要作用是分流,电流限制,分压,偏移等。电容是指在给定的电位差下存储的电荷量;单位是Farah(F)。一般来说,电荷在电场中在力的作用下移动。当导体之间存在介质时,它会阻碍电荷的移动并导致电荷在导体上积累;电荷累积存储的常见的例子是两个平行的金属板,这也是众所周知的电容器。