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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、 微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
单 双 向 可 控 硅 形 状:三管:代号: BG 或Q、V、T;是一种电流控制型器件半导体元器件,又称晶体管;它由两个PN结构成,有三个电,分别称基(B)称集电称(C)发射(E);按导电类型分有PNP型和NPN型两种管;按功率分有大、中、小功率三种管;按用途分有高、低频两种管;晶体三管的电流放大系数随温度升高而增大,在实际电路中,主要应用了放大电路和开关电路,是一种小电流控制大电流的放大元件。
半波整流电路:是一种简单的整流电路。它由电源变压器T、整流二管D 和电阻性负载RL组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压U2,D 再把交流电变换为脉动直流电。利用整流二管D的单向导电性,将大小和方向都间变化的工频交流电变换成单方向的脉动直流电的过程称为整流。整流工作原理:正半周u2瞬时性上(+),下(-),D正偏导通,二管和负载上有电流流过。负半周u2瞬时性上(-),下(+),VD反偏截止,负载上得不到电流。负载RL上电压和电流波形为u2的半个周期,故称半波整流电路。 只适用于小电流整流电路、充电使用。