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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能,是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分,中间部分为基区,两侧为发射区和集电区,排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件,它含有两个PN结,具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导,也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻(108~109Ω),低噪声,低功耗,动态范围大,易于集成,无二次击穿,宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。
光电二管:和普通二管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。双向触发二管:具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护定时、移相、调速、调光等用途。测量双向触发二管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二管已击穿损坏。
根据这个定义,传感器的作用是将一种能量转换成另一种能量形式,所以不少学者也用“换能器-Transducer”来称谓“传感器-Sensor”。变压器(Transformer)是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置,主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心(磁芯)。在电器设备和无线电路中,常用作升降电压、匹配阻抗,隔离等。在发电机中,不管是线圈运动通过磁场或磁场运动通过固定线圈,均能在线圈中感应电势,此两种情况,磁通的值均不变, 但与线圈相交链的磁通数量却有变动,这是互感应的原理。变压器就是一种利用电磁互感应,变换电压,电流和阻抗的器件。