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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
电容通常由电路中的“C”加数字表示。电容是由两个相互接近的金属薄膜组成的元件,由缘材料隔开。电容的主要特点是与直流和交流相分离。电容容量是能够存储电能的大小。电容对交流信号的阻碍称为电容电抗,它与交流信号的频率和电容有关。电话中常用的电容器类型有电解电容器、陶瓷电容器、贴片电容器、单片电容器、钽电容器和聚酯电容器。固态电子装置中的半导体端子装置。这些器件的主要特点是具有非线性电流电压特性。此后,随着半导体材料和工艺技术的发展,利用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构,开发了多种结构多样、功能用途不同的晶体二管。制造材料包括锗、硅和化合物半导体。晶体二管可用于产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
1 F =1000 mF 1 F mF =1000 uF 1 uF =1000 nF 1 nF =1000 pF容量允许误差标示:符 号 F±1% ; G±2%; J ±5%;K ±10%;L±15% M±20%如:一瓷片电容为104J表示 容量为0. 1 uF、误 差为±5%。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明;如10 uF/16V
作用:交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关和交流电机调速、换向、交流稳压等电路。电和好坏判别:用万用表R×1挡或R×10挡对换表笔测T2、T1或T2、G正、反阻值指针均不动;用万用表R×1挡或R×10挡对换表笔测T1和G正、反向阻值均为几十至几百欧,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G,黑笔所接为T1,余下是T2。符 号:如图上所示。因为它是双向元件,所以不管T1 ,T2的电压性如何,若G有信号加入时,则T1 ,T2间呈导通状态;反之,加G触发信号,则T1 ,T2间有高的阻抗。