甘肃上门回收工厂库存电子元件整厂收购

　　容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法:示为小数的或标示为一位或两位整数的，标示数就是容量值;标示为小数的，容量单位为uF;标示为整数的，容量单位为PF;标不标示耐压的耐压均为500V。用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率(或补几个“0”个数)。如:①102表示10×10²PF=1000PF 224表示22×104PF=220000PF

　　晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。

　　电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。

　　变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。V1、V2为性能相同的整流二管,V1的阳连接A点，V2的阳连接B点;T为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。设v1为正半周时，图中A端为正，B端为负，则A端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于B端电位。二管V1导通，V2截止，电流iV1自A端经二管V1自上而下流过RL到变压器中心抽头C处;当v1为负半周时，B端为正、A端为负，则B端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于A端电位。二管V2导通，V1截止，电流iV2自B端经二管V2，也自上而下流过负载RL到C处，iV1和iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，在RL两端产生全波脉动直流电压vL。