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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　阻抗一般和频率有关。额定阻抗是指音频为400Hz时，从扬声器输入端测得的阻抗。它一般是音圈直流电阻的1.2~1.5倍。常见的阻抗有4Ω、8Ω、16Ω、32Ω等。二管:代号:D或BG;是一种半导体元器件，由一个PN结构成。分正负，P为正，N为负;有普通、稳压、变容、发光、开关、光电等二管。作用:整流、稳压、变容、发光(LED)、升压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测，正向阻值3—9K，反向阻值∞(无穷大)为好

　　变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。V1、V2为性能相同的整流二管,V1的阳连接A点，V2的阳连接B点;T为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。设v1为正半周时，图中A端为正，B端为负，则A端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于B端电位。二管V1导通，V2截止，电流iV1自A端经二管V1自上而下流过RL到变压器中心抽头C处;当v1为负半周时，B端为正、A端为负，则B端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于A端电位。二管V2导通，V1截止，电流iV2自B端经二管V2，也自上而下流过负载RL到C处，iV1和iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，在RL两端产生全波脉动直流电压vL。

　　注:基电压Vb;基电流Ib;集电电流Ic;集电电压Vc;发射电流Ie;发射电压Ve;上升、增大↑;下降、变小↓三 管 形 状光耦元件:代号: IC光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二管和光敏(三)管封装在一起。发光二管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离作用。如下图:三端稳压器: 代号:IC