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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓,这时Vb不变,基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一,成为一个电阻Re,如图(c)所示,则在差模信号作用下Re中的电流变化为零,即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路),因此大大提高了对差模信号的放大能力.
工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压,二是控制也要加正向电压。以上两个条件,同时具备,可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后,即使降低控制电压或去掉控制电压,可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压,使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴,而是把与控制相近的叫做电A1,另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,采取相应的保护措施。
阻抗一般和频率有关。额定阻抗是指音频为400Hz时,从扬声器输入端测得的阻抗。它一般是音圈直流电阻的1.2~1.5倍。常见的阻抗有4Ω、8Ω、16Ω、32Ω等。二管:代号:D或BG;是一种半导体元器件,由一个PN结构成。分正负,P为正,N为负;有普通、稳压、变容、发光、开关、光电等二管。作用:整流、稳压、变容、发光(LED)、升压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测,正向阻值3—9K,反向阻值∞(无穷大)为好