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　　电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

　　电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。

　　放大能力测量:用万用表R×10KΩ挡;PNP管红表笔接C，黑表笔接E;NPN管黑表笔接C，红表笔接E;用手指接通B与C时，表针摆动幅度越大说明该项管放大能力越好。表针无摆动为无放大能力已损坏。 符号:三管的三种工作状态放大状态:三管的BE加正向电压时，在正偏状态(BE之间电压为0.5-0.7V)这时集电与发射之间的电流大小受基控制，三管处于放大(导通)状态。饱和(导通)状态:三管的BE加正向电压时，在超正偏状态(BE之间电压大于0.7V以上)这时集电与发射之间的电阻很小，就像开关闭合一样，三管处于饱和(导通)状态。