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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　变容二管，也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器（势垒电容器）及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管，是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话，低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下，变容二管调制电压通常施加到负电，使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障，主要表现为漏电或性能不佳:（1）发生漏电时，高频调制电路不工作或调制性能恶化。 （2）当变容二管性能恶化时，高频调制电路的操作不稳定，并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时，应更换相同类型的变容二管。

　　场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

　　目前，小功率桥式整流电路的四只整流二管，被接成桥路后封装成一个整流器件，称"硅桥"或"桥堆"。在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。电路由变压器B、两个整流 二管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其工作原理如下: