专注回收贴片电容整厂收购

　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　作用:隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路、能量转换控制电路等方面。好坏判别:两短路放电后，用万用表电阻挡测，表针摆出后能返回到原处为好;表针摆出后不返回为短路;表针摆出后返回不到原处为好漏电;表针不摆出为开路;短路、开路、漏电严重为损坏。对于小电容，测量表针不摆动，再用串联“电笔法”或“交流信号法” 判定好坏，电容器构造:由两片金属膜紧靠引出脚，中间用缘介质材料隔开而组成的元件。

　　场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

　　开关电路:三管在电路中通常用做电子开关。在开关状态下的三管处于饱和(导通)状态和截止状态。三管放大工作状态下各电电压电流的变化关系:对于NPN型管:Vb↑--Ib↑--Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑;Vb↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓对于PNP型管:Vb↑--Ib↓--Ic↓--Ve↑--Ic↓--Vc↓;Vb↓--Ib↑--Ic↑--Ve↓--Ic↑--Vc↑