专注回收家电IC整厂收购

　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　作用:交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关和交流电机调速、换向、交流稳压等电路。电和好坏判别:用万用表R×1挡或R×10挡对换表笔测T2、T1或T2、G正、反阻值指针均不动;用万用表R×1挡或R×10挡对换表笔测T1和G正、反向阻值均为几十至几百欧，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G，黑笔所接为T1，余下是T2。符 号:如图上所示。因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压性如何，若G有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态;反之，加G触发信号，则T1 ,T2间有高的阻抗。

　　单 双 向 可 控 硅 形 状:三管:代号: BG 或Q、V、T;是一种电流控制型器件半导体元器件，又称晶体管;它由两个PN结构成，有三个电，分别称基(B)称集电称(C)发射(E);按导电类型分有PNP型和NPN型两种管;按功率分有大、中、小功率三种管;按用途分有高、低频两种管;晶体三管的电流放大系数随温度升高而增大，在实际电路中，主要应用了放大电路和开关电路，是一种小电流控制大电流的放大元件。

　　交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一，成为一个电阻Re，如图(c)所示，则在差模信号作用下Re中的电流变化为零，即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路)，因此大大提高了对差模信号的放大能力.