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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　二管的主要特性是单向导电，即在正向电压作用下导通电阻很小，而在反向电压作用下导通电阻是大或无限大的。由于上述特性，二管常用于无绳电话的整流、隔离、稳压、性保护、编码控制、调频降噪等电路中。用数字万用表测量二管时，红表笔连接二管的正和黑表笔连接二管的负是二管的正导通电阻，与指针万用表的表笔连接方法正好相反。齐纳二管，这种二管是一种半导体器件，具有高电阻，直到临界反向击穿电压。齐纳二管的特点是击穿后，齐纳二管两端的电压基本不变。当稳压器连接到电路时，如果电源的电压发生波动，或者其他原因导致电路中各点的电压发生变化，则负载两端的电压将基本保持不变。

　　共集电放大电路:电流放大增益大，电压放大增益小;输入阻抗高输出阻抗低，可用作阻抗匹配电路。偏 置 放 大 电 路放大电路具有放大和反相的作用，而静态工作点的设置对放大电路的正常工作又具有其重要的影响，可调节上偏置电阻Rb2来改变静态工作点。RL---负载电阻;Vcc---工作电源;Vi---输入信号;Vo---输出信号;BG----放大管起放大作用。Rb2---上偏置电阻;作用是为放大管BG的基提供偏置电源，调节Rb2可以改变静态工作点。

　　当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。