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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　作用:二管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。识别方法:二管的识别很简单，小功率二管的N（负），在二管外表大多采用一种圈标出来，有些二管也用二管符号来表示P（正） 或N（负），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。测试注意事项:用数字式万用表去测二管时，红表笔接二管的正，黑表笔接二管的负，此时测得的阻值才是二管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

　　注:基电压Vb;基电流Ib;集电电流Ic;集电电压Vc;发射电流Ie;发射电压Ve;上升、增大↑;下降、变小↓三 管 形 状光耦元件:代号: IC光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二管和光敏(三)管封装在一起。发光二管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离作用。如下图:三端稳压器: 代号:IC

　　电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率，c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有:毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法