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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
扬声器有两个接线柱(两根引线),当单只扬声器使用时两根引脚不分正负性,多只扬声器同时使用时两个引脚有性之分。好坏判别:用万用表R×1Ω挡或1.5V干电池,一边不断碰触两接线柱,能发出“喀喀”声。检测扬声器是粗略的,以听声音来主观评价它的质量好坏。扬声器的主要性能:灵敏度、频响、功率、阻抗、指向性、失真度等参数。额定功率 W或AV扬声器的功率有标称功率和大功率之分。标称功率称额定功率、不失真功率。
变容二管,也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器(势垒电容器)及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管,是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话,低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下,变容二管调制电压通常施加到负电,使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障,主要表现为漏电或性能不佳:(1)发生漏电时,高频调制电路不工作或调制性能恶化。 (2)当变容二管性能恶化时,高频调制电路的操作不稳定,并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时,应更换相同类型的变容二管。
工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压,二是控制也要加正向电压。以上两个条件,同时具备,可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后,即使降低控制电压或去掉控制电压,可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压,使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴,而是把与控制相近的叫做电A1,另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,采取相应的保护措施。