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　　电阻的标位子与倍率相干以下表所示:颜 有效数字 倍率 同意瑕疵(%)银 / x0.01 ±10金 / x0.1 ±5玄 0 +0 /棕 1 x10 ±1血 2 x100 ±2橙 3 x1000 /黄 4 x10000 /绿 5 x100000 ±0.5蓝 6 x1000000 ±0.2紫 7 x10000000 ±0.1灰 8 x100000000 /皎白 9 x1000000000 / 。

　　电容器是电子设备中大量使用的元件之一，它具有隔直流和分离各种频率的能力，广泛用于隔直流，耦合，旁路，滤波，去耦，移相，谐振回路调谐，波形变换（微分，积分），能量转换，控制电路中的时间常数设定等。

　　单 双 向 可 控 硅 形 状:三管:代号: BG 或Q、V、T;是一种电流控制型器件半导体元器件，又称晶体管;它由两个PN结构成，有三个电，分别称基(B)称集电称(C)发射(E);按导电类型分有PNP型和NPN型两种管;按功率分有大、中、小功率三种管;按用途分有高、低频两种管;晶体三管的电流放大系数随温度升高而增大，在实际电路中，主要应用了放大电路和开关电路，是一种小电流控制大电流的放大元件。

　　工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。