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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
电阻器 代号:R电阻器是一种能够阻碍电流通过的元器件,简称电阻。在电路中,它可限制通过它所连支路的电流大小。符号:作用:分流、限流、分压、降压、隔离、偏置等。好坏判别:用万用表电阻挡测得实际阻值与标称值一致或在充许误差范围内为好。(烧坏一般变黑)。在路测量实际阻值≤标称值。阻值单位:欧姆(Ω),千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。1 MΩ=1000 KΩ 1 KΩ=1000Ω
有源器件自身也消耗电能,大功率的有源器件通常加有散热器。与无源元件相对应的是被动元件。电阻、电容和电感类元件在电路中有信号通过就能完成规定功能,不需要外加激励电源,所以称为无源器件。无源器件自身消耗电能很小,或把电能转变为不同形式的其他能量。分立元器件与集成电路从物理结构、电路功能和工程参数上,有源器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立元器件是与集成电路相对而言的。
放大能力测量:用万用表R×10KΩ挡;PNP管红表笔接C,黑表笔接E;NPN管黑表笔接C,红表笔接E;用手指接通B与C时,表针摆动幅度越大说明该项管放大能力越好。表针无摆动为无放大能力已损坏。 符号:三管的三种工作状态放大状态:三管的BE加正向电压时,在正偏状态(BE之间电压为0.5-0.7V)这时集电与发射之间的电流大小受基控制,三管处于放大(导通)状态。饱和(导通)状态:三管的BE加正向电压时,在超正偏状态(BE之间电压大于0.7V以上)这时集电与发射之间的电阻很小,就像开关闭合一样,三管处于饱和(导通)状态。