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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　1 F =1000 mF 1 F mF =1000 uF 1 uF =1000 nF 1 nF =1000 pF容量允许误差标示:符 号 F±1% ; G±2%; J ±5%;K ±10%;L±15% M±20%如:一瓷片电容为104J表示 容量为0. 1 uF、误 差为±5%。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明;如10 uF/16V

　　截止状态:三管的发射加反向电压或两断电压为零时,这时集电与发射之间的电阻很大，就像开关断开一样，三管处于截止(不导通)状态;(Vb ≤Ve)。放大电路:当基(输入端)输入一个较小的基电流时，其集电(输出端)将按比例产生一个较大的集电电流，这个比例就是三管的电流放大系数。(VC >Vb > Ve)放大作用的理解:三管不会产生能量，但它可以通过小电流控制大电流;放大的原理就在于:通过小的变化的交流输入，控制大的静态直流起较大的相应的变化

　　晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。