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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。

　　e2正半周(上正下负)时，二管D1导通，D2截止，电流经过D1对C1充电，将电容Cl上的电压充到接近e2的峰值√2E2 ，并基本保持不变。e2为负半周(上负下正)时，二管D2导通，Dl截止。此时，Cl上的电压Uc1=√2E2与电源电压e2串联相加，电流经D2对电容C2充电，充电电压Uc2=e2峰值+1.2E2≈ 2√2E2。如此反复充电，C2上的电压就基本上是2√2E2 了。它的值是变压器电级电压的二倍，所以叫做二倍压整流电路。

　　测器件厚度和看器件边沿不少原激光印字的打磨翻新片（功率器件居多）因要去除原标记，打磨较深，如此器件的整体厚度会明显小于正常尺寸，但不对比或用卡尺测量，一般经验不足的人还是很难分辨的，但有一变通识破法，即看器件正面边沿。因塑封器件注塑成型后须"脱模"，故器件边沿角呈圆形（r角），但尺寸不大，打磨加工时很容易将此圆角磨成直角，故器件正面边沿一旦是直角的，可以判断为打磨货。除此之外，再有一法就是看商家是否有大量的原外包装物，包括标识内外一致的纸盒、防静电塑胶袋等，实际辨别中应多法齐用，有一处存在问题则可认定器件的货质。