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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
区分原装与散新IC芯片市面上的ic芯片林林总总、各式各样,不注意区分,有时很难看出各种料有何不同。现在我们看看有哪些区分原装与散新芯片的要点。看芯片表面是否有打磨过的痕迹凡打磨过的芯片表面会有细纹甚至以前印字的微痕,有的为掩盖还在芯片表面涂有一层薄涂料,看起来有点发亮,无塑胶的质感。现在的芯片大多数采用激光打标或用芯片印刷机印字,字迹清晰,既不显眼,又不模糊且很难擦除。翻新的芯片要么字迹边沿受清洗剂腐蚀而有"锯齿"感,要么印字模糊、深浅不一、位置不正、容易擦除或过于显眼。
好坏判别:①用万用表R×1KΩ挡对换表笔测称B—C和B—E,正向阻值3—9K,反向阻值∞(无穷大); ②用万用表R×10K挡对换表笔测称C—E,正向阻值30K以上,反向阻值∞(无穷大);达①②条件为好管。带阻尼型管好坏判别:①用万用表R×1Ω或R×10Ω挡对换表笔测称B—E,正向阻值均为十几至几十欧;②用万用表R×1K挡对换表笔测称C—E,正向阻值3—9K反向阻值∞(无穷大);达①②条件为好管。
作用:隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路、能量转换控制电路等方面。好坏判别:两短路放电后,用万用表电阻挡测,表针摆出后能返回到原处为好;表针摆出后不返回为短路;表针摆出后返回不到原处为好漏电;表针不摆出为开路;短路、开路、漏电严重为损坏。对于小电容,测量表针不摆动,再用串联“电笔法”或“交流信号法” 判定好坏,电容器构造:由两片金属膜紧靠引出脚,中间用缘介质材料隔开而组成的元件。