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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　三管的放大作用就是:集电电流受基电流的控制(假设电源能够提供给集电大的电流)，并且基电流很小的变化，会引起集电电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系:集电电流的变化量是基电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基跟发射之间，这就会引起基电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。

　　目前，小功率桥式整流电路的四只整流二管，被接成桥路后封装成一个整流器件，称"硅桥"或"桥堆"。在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。电路由变压器B、两个整流 二管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其工作原理如下:

　　作用:隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路、能量转换控制电路等方面。好坏判别:两短路放电后，用万用表电阻挡测，表针摆出后能返回到原处为好;表针摆出后不返回为短路;表针摆出后返回不到原处为好漏电;表针不摆出为开路;短路、开路、漏电严重为损坏。对于小电容，测量表针不摆动，再用串联“电笔法”或“交流信号法” 判定好坏，电容器构造:由两片金属膜紧靠引出脚，中间用缘介质材料隔开而组成的元件。