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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
有源器件自身也消耗电能,大功率的有源器件通常加有散热器。与无源元件相对应的是被动元件。电阻、电容和电感类元件在电路中有信号通过就能完成规定功能,不需要外加激励电源,所以称为无源器件。无源器件自身消耗电能很小,或把电能转变为不同形式的其他能量。分立元器件与集成电路从物理结构、电路功能和工程参数上,有源器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立元器件是与集成电路相对而言的。
电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、 微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
晶体二管(crystaldiode)固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展,利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构,研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二管。