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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
注:基电压Vb;基电流Ib;集电电流Ic;集电电压Vc;发射电流Ie;发射电压Ve;上升、增大↑;下降、变小↓三 管 形 状光耦元件:代号: IC光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二管和光敏(三)管封装在一起。发光二管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出,由于没有直接的电气连接,这样既耦合传输了信号,又有隔离作用。如下图:三端稳压器: 代号:IC
光电二管:和普通二管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。双向触发二管:具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护定时、移相、调速、调光等用途。测量双向触发二管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二管已击穿损坏。
电容通常由电路中的“C”加数字表示。电容是由两个相互接近的金属薄膜组成的元件,由缘材料隔开。电容的主要特点是与直流和交流相分离。电容容量是能够存储电能的大小。电容对交流信号的阻碍称为电容电抗,它与交流信号的频率和电容有关。电话中常用的电容器类型有电解电容器、陶瓷电容器、贴片电容器、单片电容器、钽电容器和聚酯电容器。固态电子装置中的半导体端子装置。这些器件的主要特点是具有非线性电流电压特性。此后,随着半导体材料和工艺技术的发展,利用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构,开发了多种结构多样、功能用途不同的晶体二管。制造材料包括锗、硅和化合物半导体。晶体二管可用于产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。