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　　在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。

　　共集电放大电路:电流放大增益大，电压放大增益小;输入阻抗高输出阻抗低，可用作阻抗匹配电路。偏 置 放 大 电 路放大电路具有放大和反相的作用，而静态工作点的设置对放大电路的正常工作又具有其重要的影响，可调节上偏置电阻Rb2来改变静态工作点。RL---负载电阻;Vcc---工作电源;Vi---输入信号;Vo---输出信号;BG----放大管起放大作用。Rb2---上偏置电阻;作用是为放大管BG的基提供偏置电源，调节Rb2可以改变静态工作点。

　　电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，掂量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变换的百分数。电阻在电路中用“R”加数字显示，如:R1走露表现编号为1的电阻。电阻在电路中的首要作用为分流、限流、分压、偏置等。参数识别:电阻的单元为欧姆(Ω)，倍率单元有:千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。换算法子是:1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注办法有3种，即直标法、标法与数标法。a、数标法首要用于贴片等小体积的电路，如:472 展示 47×100Ω(即4.7K); 104则走露表现100Kb、环标注法运用至少，现举譬喻下:四环电阻 五环电阻(粗糙电阻)。