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　　按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三管、二管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二管、三管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二管、三管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。

　　集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构

　　按导电类型不同，分为双型集成电路和单型集成电路两类。双型集成电路频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型属于这一类。单型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为mos型集成电路。mos电路又分为nmos、pmos、cmos型。nmos集成电路是在半导体硅片上，以n型沟道mos器件构成的集成电路；参加导电的是电子。

　　调制与侦测器技术突破，硅光子芯片互连应用指日可待。高速光通信在过去30几年来的发展下，已经成为有线高速信息传输的标准。在2000年受到美国经济泡沫化及网络市场对带宽需求不如预期的影响下，光通信产业与客户端的拓展曾经沉寂一段时间。过去除政府单位或具大型网络建置的企业外，一般终端使用者直接享受高比特率传输的机会并不高。虽然目前高速光通信应用的领域仍以远距离的骨干网络服务为主，但根据目前主流产学的评估，个人客户端传输比特率将在2015年与2023年分别提升至1Gbit/s与10Gbit/s。