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　　识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法 3 种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流 - 电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。

　　与通用集成电路芯片相比，集成电路体积更小，净重更轻，功能损耗更低，性更高，特性更高，性更强，成本进一步降低。如今，集成电路的制造工艺已经成为人们关注的焦点。工艺越好意味着集成电路的特性水平越高。因此，集成电路也可以根据制造工艺进行分类，这种分类也很常见。通常经常听说5nm芯片、7nm芯片、14nm集成ic都是按照这个流程来区分的。今天的制作工艺已经可以做到5nm，下一步是3nm。一般来说，加工工艺越好，集成电路晶体管的加工速度越高，临界总面积越小，成本越低，特性越强。然而，这个术语是指单个集成电路，如果把它作为一个整体来考虑，就不一样了。根据应用领域的不同，集成电路可分为民用型(消费级)、工业生产级、汽车级和军用级集成电路，它们的主要区别在于工作温度类别。

　　集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。

　　其三是随着EDA工具(电子设计自动化工具)的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化阶段，使设计过程可以独立于生产工艺而存在。有远见的整机厂商和创业者包括风险投资基金(VC)看到ASIC的市场和发展前景，纷纷开始成立设计公司和IC设计部门，一种无生产线的集成电路设计公司(Fabless)或设计部门纷纷建立起来并得到迅速的发展。