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　　手机IC D类功放A7013解决增益变化过高损坏喇叭问题

　　手机上常用的单声道D类功放采用外接输出电阻调节增益，由于增益误差引起损坏喇叭问题，逐渐引起了手机厂商的关注。近期，国内多家知名手机制造商均有反馈，在手机设计中采用大增益单声道D类功率放大器，终端客户大音量播放声音，长期使用有损坏喇叭现象，后来即使更换包括国外大厂芯片，均没有明显改善。

　　缓存又分为几个级别: Cache（一级缓存）:它采用与CPU相同的半导体工艺，制作在CPU内部，容量不是很大，与CPU同频运行，无需通过外部总线来交换数据，所以大大节省了存取时间。 Cache（二级缓存）:CPU在读取数据时，寻找顺序依次是L1→L2→内存→外存储器。L2 Cache的容量十分灵活，容量越大，CPU档次越高。 Cache（三级缓存）:还可以在主板上或者CPU上再外置的大容量缓存，被称为三级缓存。

　　凡光亮如"新"的镀锡引脚必为翻新货，正货ic的引脚大多数应是所谓"银粉脚"，泽较暗但成均匀，表面不应有氧化痕迹或"助焊剂"，另外dip等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有(再次包装才会有)擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。看器件生产日期和封装厂标号正货的标号包括芯片底面的标号应一致且生产时间与器件品相相符，而未remark的翻新片标号混乱，生产时间不一。remark的芯片虽然正面标号等一致，但有时数值不合常理(如标什么"吉利数")或生产日期与器件品相不符，器件底面的标号若很混乱也说明器件是remark的。

　　相对半定制化ASIC 芯片，全定制化ASIC 芯片在性能、功耗等方面表现优秀。如应对相同功能，在同种工艺前提下，全定制化ASIC  芯片平均算力输出约为半定制化ASIC 芯片平均算力输出的8 倍，采用24 纳米制程的全定制化ASIC 芯片在性能上优于采用5 纳米制程的半定制化ASIC  芯片。构成半定制ASIC 芯片的逻辑单元大部分取自标准逻辑单元库，部分根据特定需求做自定义设计。相对全定制ASIC 芯片设计成本较低，灵活度较高。