防城港金刚石回收再利用的方法

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　　点缺陷:在三维空间中各方向上的尺寸很小，故又称零维缺陷，如空位、间隙原子、杂质原子、心等。 点缺陷:杂质原子共价晶体中的置换杂质，通常引起并存的电子缺陷，从而明显地改变材料的导电性。例如，半导体材料鍺（四价）中含有五价砷或三价镓，在键合轨道上会多出一个自由电子或电子空穴，两类电子缺陷都可以运动，因此导电率增加。 离子晶体也允许置换杂质，但条件是保持电中性。例如Ca2+置换了两Na+离子，却只占据一个位置。于是，这种杂质创造了另一种称为阳离子空位的缺陷。它对离子晶体的电学性质有影响，加电场时，阳离子空位会反复地与相邻阳离子交换位置而产生电流。当然在这种情况下，导电相当于带正电荷阳离子的运动。

　　与金属相比，离子材料的扩散能高而扩散速率低，而且其扩散过程远比金属中复杂   阳离子扩散系数比阴离子大。大多数离子晶体的扩散是按空位进行的，也有少部分是间隙扩散 影响扩散的缺陷来自1）本征点缺陷2）掺杂点缺陷共价晶体:扩散和互扩散仍以空位机制为主特点:方向性的键合使共价晶体的扩散能高于熔点相近的金属的能。 应用:半导体的掺杂是扩散在工业上的应用。说明相变的条件、生核方式及固态相变的一般特点。 相变的结果产生了一个与起始相性质大为不同的相，所产生的相通常具有与原始相不同的晶体结构。

　　转变时在总的能量项中，除了表面能项，还要包括应变能项；可以由总的体积变化引起，也可以由于相界面上原子键合的部不适应所引起； 新旧相之间倾向于有一定的位向关系；允许转变过程经过一个或多个亚稳相，因而常形成过渡点阵。归纳固态相变的主要类型及特点。晶粒长大:原子运动跨越晶界，扩散距离短，晶体结构不变，而且没有新的晶粒生成，不需形核时间，反应速率对温度很敏感，是晶界曲率的函数，随着晶粒长大，反应速率降低，晶粒长大驱动力是晶界面积的减少。