时间:2024-02-27 18:15
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发生韧性断裂后形成的断口根据材料本身力学性能的不同有三种典型的断口形式:1)为纯度高的纯铝拉伸时的断口,这是直到一点截面皆以颈缩的形式破断的纯颈缩断口;2)纯度不高的铜拉伸时的双杯型断口;3)低碳钢拉伸时常见的杯锥型断口;对于低强度的金属和合金,拉伸试件的断口往往表现为杯锥断口、双杯断口和纯破裂断口。用Griffith理论解释发生脆性断裂时,实际断裂强度低于理论断裂强度的原因。 由于固体内部本来就存在着某种微裂纹;材料的脆性断裂就是由裂纹的形成与随后的扩展两个阶段组成,根据Griffith理论,这些预存裂纹对于微塑性的,也就是永久变形能力很小的材料,都有损强度。是那种长度方向与作用应力垂直的裂纹,会在裂纹端部引起为严重的应力集中,从而使该处的实际部应力达到材料的理论强度。
在开始扩散时,浓度梯度变化较大,故浓度间变化较快,越到后来,这个变化就越慢,所以材料通过扩散达到均匀化,需要很长时间。 工业应用:将低碳钢通过渗碳达到某种较高浓度水平,或将带有成分偏析的铸件处理到某一相对比较均匀的程度。原子扩散的主要机制是什么?各自的应用范围、能及扩散的快慢如何? 空位扩散机制是扩散原子跳入空位,同时有空位移动与之配合。实现空位机制的条件是扩散原子的近邻应当有空位,同时空位周围的原子还具有超过能垒的能量。 这种扩散的能由原子跳动能和空位形成能两部分组成。
点缺陷:在三维空间中各方向上的尺寸很小,故又称零维缺陷,如空位、间隙原子、杂质原子、心等。 点缺陷:杂质原子共价晶体中的置换杂质,通常引起并存的电子缺陷,从而明显地改变材料的导电性。例如,半导体材料鍺(四价)中含有五价砷或三价镓,在键合轨道上会多出一个自由电子或电子空穴,两类电子缺陷都可以运动,因此导电率增加。 离子晶体也允许置换杂质,但条件是保持电中性。例如Ca2+置换了两Na+离子,却只占据一个位置。于是,这种杂质创造了另一种称为阳离子空位的缺陷。它对离子晶体的电学性质有影响,加电场时,阳离子空位会反复地与相邻阳离子交换位置而产生电流。当然在这种情况下,导电相当于带正电荷阳离子的运动。