德国SSB蓄电池SBL17-12i详细参数HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（《250℃）制造的优点，从而避免采用传统的高温（》900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si:H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。
（2）高效率
HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，在p_n结成结的同时完成r单晶硅的表面钝化，大大降低了表面、界面漏电流，提高了电池效率。目前HIT电池的实验室效率已达到23％，市售200W组件的电池效率达到19.5％。
（3）高稳定性
HIT电池的光照稳定性好，理沧研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler-Wronski效应，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，与单晶硅电池一0.5％／℃的温度系数相比，HIT电池的温度系数可达到一0.25％／℃，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。
德国SSB蓄电池SBL17-12i详细参数德国SSB蓄电池特点:
1、初始容量大，比能量高 采用新型合金板栅材料专利技术，优化设计的产品结构，容量比同类产品高出5%，比能量达35~38Wh/kg。
2、低温性能优越 采用特殊的耐低温添加剂材料，电池能够在-15℃～40℃环境下正常使用。
3、组合一致性 采用先进的和膏设备、极板分选取设备、电池动态配组技术，能有效提高整组电池的一致性。
4、高功率放电性能好 正、负极板均采用涂膏式结构，紧装配工艺，内阻小，高功率放电性能好，具有超强的起动能力，30°斜坡爬坡轻松自如。
5、安全可靠 安全阀能自动开启，既可以排出由于误操作或免维护过充电导致的多余气体，又能防止外部气体或火花进入电池内部引起自放电或爆炸。全密封防泄漏结构:电池可倾斜、卧放使用，但不允许倒置。
6、使用寿命长 长寿命活性物配方，具有极强的耐深循环充放电能力，在25℃下，80%DOD循环寿命可达600~700次；100%DOD寿命循环达300~350次。
7、绿色环保 电池以绿色环保为本，采用新型密封结构优化设计，确保使用过程无漏酸及酸雾溢出现象，安全可靠。
8、免维护 密封反应效率高，电池在整个使用过程中无需补水或补酸维护。
德国SSB蓄电池产品特性应用领域与分类:
◆免维护无须补液；< UPS不间断电源；
◆内阻小，大电流放电性能好；< 消防备用电源；
◆适应温度广；< 安全防护报警系统；
◆自放电小；< 应急照明系统；
◆使用寿命长；< 电力，邮电通信系统；
◆荷电出厂，使用方便；< 电子仪器仪表；
◆安全防爆；< 电动工具,电动玩具；
◆独特配方，深放电恢复性能好；< 便携式电子设备；
◆无游离电解液，侧倒仍能使用；< 摄影器材；
◆产品通过CE,ROHS认证,所有电池 < 太阳能、风能发电系统；
◆ 符合国家标准。 < 巡逻自行车、红绿警示灯等。
德国SSB蓄电池产品实拍:
我们是集销售、安装、维修服务于一体的公司，以高效率的工作方式及良好的商业道德认真对待每一位客户，真正让每一位客户无任何后顾之忧。
本公司将给您提供最详尽的蓄电池技术指导及最完善的售后服务。欢迎来电垂询！
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公司全面引进了先进技术、设备和检测系统,为世界各地提供40多种规格的“德国SSB”品牌中、小型密闭铅酸蓄电池,主要应用于UPS电源、应急灯、电动工具、电动自行车以及金融、通讯系统等领域。其中后备变浆控制系统对于风力设备的安全是至关重要的。在断电的情况下，电池组为系统提供可靠的电力保障。专门为变浆系统设计的WT系列VRLA电池保障风力设备最安全的运行。
关注切换，让UPS避免冲击
德国SSB蓄电池产品特性应用领域与分类:
◆ 免维护无须补液； < UPS不间断电源；
◆ 内阻小，大电流放电性能好； < 消防备用电源；
◆ 适应温度广； < 安全防护报警系统；
◆ 自放电小； < 应急照明系统；
◆ 使用寿命长； < 电力，邮电通信系统；
◆ 荷电出厂，使用方便； < 电子仪器仪表；
◆ 安全防爆； < 电动工具,电动玩具；
◆ 独特配方，深放电恢复性能好； < 便携式电子设备；
◆ 无游离电解液，侧倒仍能使用； < 摄影器材；
◆ 产品通过CE,ROHS认证,所有电池 < 太阳能、风能发电系统；
◆ 符合国家标准。 < 巡逻自行车、红绿警示灯等。
SSB 电池，SSB Battery电源 SSB Battery蓄电池 SSB Battery胶体蓄电池
公司介绍:
德国SSB Battery Service GmbH公司成立于德国柏林，公司拥有代表德国电池工业领域最高水平的技术专家和当今世界最先进的胶体（Gel）和AGM电池生产的工艺及技术，产品通过德国VDS认证、美国UL认证及欧盟CE认证等。SSB电池以其优良的品质及十年如一日的专业态度，发展了遍布整个欧洲的分销网络及仓储中心，并在全球40多个国家和地区设立了总代理机构。应用于UPS系统，静态和动态，紧急照明EN 50171-2，报警系统和安全系统，火灾报警系统，电信应用，医疗应用，DC -安全系统。
产品介绍:
SSB Battery 电池 SSB Battery电源 SSB Battery蓄电池 SSB Battery胶体蓄电池
SSB的优势:
•稳定的全球供货来源:月产量达120万只（并逐年增加中），并在亚洲、美洲、中国（评估中）的三座生产基地,。
•全系列产品:产品线齐全，且针对不同行业、环境、设备开发生产不同系列产品，从6V-4.5AH~6V-12AH、12V-2.2AH~12V-100AH、2V-200AH~2V-6000AH,产品应用涵跨工业、电子、军事、医疗、石化等相关行业使用。
•领先业界新产品开发能力:SSB已成功的与世界级大型客户合作开发出SP、SB、ET系列产品，并以每二个月开发一款新产品的速度，全力朝向通讯业开发专用电池，可提供不同的产品需求，及特殊规格产品开发。
•专业的技术支持SSB以在世界级通讯、不间断客户十多年的服务经验，透过SSB在全球五大洲的办事处及数十个国家的服务销售点的专业工程师，连成绵密的服务网络体系，使客户在最短的时间，得到最满意的服务。
•顺畅的沟通管道:亚太总部（台北）及北京、上海、广州、深圳、美国加州、德州、意大利米兰、大阪、（新加坡、新德里设立中）SSB分公司及全球代理商负责所有协调供货工作，在中国由直接单一窗口即可协调所有事项，无语言、时间的障碍。
•值得信赖的伙伴:自成立来，SSB不断的成长，努力解决所有客户的需求，在市场中共同成长，其工作及负责态度有目共睹。SSB虽仅仅成立14年，但其所取得的成绩已经深获业界的认同及肯定，不可否认SSB已成为电池业界最闪亮的新星
身为阀调式铅酸蓄电池的世界级领导品牌，SSB的产品已被广泛地应用于世界各国通讯设备、不断电系统、紧急照明以及安全系统等产品上. 自西元1986年成立以来，SSB己逐渐茁壮成为一国际集团。SSB各工厂各分公司遍布亚洲及美洲，平均每月生产超过300万单位的电池供应市场。
品质的坚持造就了SSB今日的成长。SSB所生产的电池皆为高效率、免维护、并获得ISO及UL认证。然而，SSB并不以此为满，今后，SSB将全力投入发展高科技以及客层化的电池以满足市场及每位客户的需求。在一千多位专业员工共同努力下，SSB有信心提供您更好、更值信赖的产品及服务。
德国SSB蓄电池SBL17-12i详细参数HIT电池的厚度薄，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，从而有效降低了电池的成本。2、HIT太阳能电池的发展现状
2 HIT太阳能电池的技术发展状况
1990年，日本Sanyo公司最早开始研究异质结太阳能电池。1992年，Tanaka等就创下p-a-Si:H／i-a-Si:H／n_c-Si结构太阳能电池光电转换效率18.1％的纪录，并将这种带有本征薄层的结构称之为HIT结构。此后，中国、美国、德国、法国、意大利、荷兰等同家也相继投入到HIT太阳能电池的研究中（表1为各国研究的HIT电池的种类、制备工艺以及电池所能达到的转换效率情况）。为进一步提高电池的效率，其研究主要侧重于以下几个方面。
（1）异质结能带结构的优化
H1T电池与传统电池最大的区别就是非晶硅与晶体硅构成的异质结结构。通过设计异质结界面的势垒高度获得合适的能带结构，以提高电池的转换效率。以Sanyo公司HIT电池为例，在（p）a-Si／（i）a-Si／（n）c-Si的异质结结构中，非晶硅与单晶硅界面价带位错要小，以便收集空穴，同时导带的位错要尽可能大，以阻I七电子的通过。异质结势垒高度的设计主要是通过控制非晶硅薄膜的沉积参数来实现的。
（2）非晶硅层的制备方法
HIT电池的非晶硅层通常用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术进行制备。近年来，中科院研究生院张群芳等以及美国国家可再生能源实验室（NERL）T.H.Wang等口朝采用热丝增强化学气相沉积（HWCVD）技术制备了P型衬底的HIT电池。与PECVD相比，HWCVD产生的等离子能量较低，能有效避免离子的轰击，同时可产生用于预处理硅片表面的低能原子氢，制备过程中的粉尘较少，不易使a-Si:H薄层短路。此外，美国纽约州立大学的B.Jagannathan等还用直流磁控溅射技术制备了P型HIT电池，在0.3cm2的面积上得到了550mV的开路电压和30mA／cm2的短路电流。
（3）背面场（BSF）的研究
背面场能改善背面复合速率和背表面反射，从而提高开路电压、增大短路电流。制备背面场的传统方法有销合金法、硼扩散法、磷扩散法等，但这些工艺都需要高温过程，只能先制备背面场再沉积非晶硅簿膜。与HIT电池低温工艺兼容的制备工艺主要有在单晶硅背面沉积重掺杂非晶硅薄膜形成背面场。Toru Sawada等用PECVD法在n型衬底上制备出HIT结构（i／n a-Si）的背面场。该背面场利用了异质结的特性，不需要重掺杂就能形成。结果显示，HIT结构背面场达到了比热氧钝化更好的表面钝化效果。Y.Ves-chetti等u80还用光刻、硼离子注入实现了局部背面场（Local BSF），与全面积（Full）铝合金背面场相比，开路电压大大提高，达到了676mV，为P型HIT电池开路电压的最高值。H.D.Goldbach等用Pμc-Si制作了P型HIT电池的背面场。因为μc-Si比a-Si有更高的掺杂效率，所以能实现高浓度的掺杂，从而降低激活能，形成性能优良的背面场，提高电池转换效率。数值模拟结果表明，在n型衬底HIT电池的背面增加一层重掺杂的n+层可以起到背面场的作用，使电池的效率提高到24.35％。