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　　在软件方面，华为固态硬盘HSSD盘拥有业界领先的动静态磨损均衡算法和坏块管理策略，GC算法等优化的SSD管理调度算法，NANDFlash的内部处理有效的提高了SSD盘的使用寿命；在硬件方面，实现ECC检错、纠错算法，数据完整性及一致性。软硬件结合，了系统的性。假设SSD上承载的主机业务是数据库类型的业务，且7×24小时无休，IOPS持续在5K左右，平均IO大小为8KB，读写比例为40%:60%。这样的主机业务，每天写入的数据量约为:5K×60%×8KB×60×60×24≈2TB。将上述计算结果使用寿命计算公式，并让写放大系数取值为全随机业务时的2.5，可以得到不同类型和容量的HSSD的使用寿命:

　　SSD硬盘包含:控制器芯片、NANDFLASH、DDR内存。这几个关键组件也就决定了SSD的档次和等级。SSD硬盘由于具备以下几个特点，替代机械硬盘已经成为之势。HSSD盘的性能优势体现在以下两个方面:响应时间短和读写效率高。响应时间短:硬盘访问时间是由指令到达时间寻道时间命中时间机械延迟组成的。传统硬盘的机械特性导致大部分时间浪费在寻道、查找数据和机械延迟上。数输受到严重影响。而SSD硬盘由于采用固态芯片（NAND芯片）作为存储介质，内部没有机械结构，因此没有数据查找时间、延迟时间和寻道时间，数输速度较之传统硬盘有近100倍的提升。如图:SSD盘与传统硬盘响应时间比较。

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　　Intel现在的处理器开发模式是“Tick-Tock”，也是每两年更新一次微架构(Tock)，中间交替升级生产工艺(Tick)。Nehalem是采用45nm工艺的新架构，而2009年的Westmere将升级到32nm，2010年的SandyBridge又是新架构。显示，Intel将在2012年4月推出“IVYBridge”，也就是SandyBridge的22nm工艺升级版；2013年再推出“Haswell”，基于22nm工艺的又一个新架构。现在已经可以基本确定Intel22nm之后的下一站将停留在15nm，已经有很多据明了这一点，据说台积电也是如此，不过也有说法提到了16nm、14nm等不同节点，而且IBM/AMD的规划就是16nm。再往后应该就是11nm，不过Intel也曾在不同场合提及过10nm，看来遥远的未来仍然充满了未知数。代号方面之前有人说2013年的22nmHaswell后边是应该是Rockwell，按惯例架构不变、工艺升级，不过SemiAccurate网站今天曝料称，其实真正迈入后20nm时代的将是“Broadwell”，再往后工艺不变、架构革新的将是“SkyLe”(另一说SkyLe)，届时甚至可能会集成源于Larrabee项目的图形核心，当然前提是Intel能够真正找到充分发挥x86架构图形效率的门路。还要往后？那我们再说一个名字“Skymont”。可以预料，到时候又会升级工艺了，按照现在的初步规划将会是11nm，但怎么着也得是2016年的事情了。